Батареи и SDRAM для будущих Palm уже готовы


Дата: 14/02/2001 @ 23:07:02 MSK
Тема: Palm


Вчера сразу несколько компаний анонсировали новые устройства и технологии, которые могут быть использованы в перспективных моделях Palm.

Toshiba впервые представила широкой общественности свои новые батареи, разработанные по технологии Advanced Lithium Batteries (ALB). Соединяющие в себе гибкость литий-полимерной технологии (PLB) с традиционно высокой емкостью литий-ионных батарей, новые аккумуляторы имеют толщину, не превышающую 1 мм. При этом их стоимость всего на 20% выше, чем у литий-ионных батарей.

Технология ALB обеспечивает превосходные характеристики батарей, позволяя сохранять до 80% от начальной емкости аккумуляторов после 500 циклов перезарядки. Кроме того, новые батареи не подвержены эффекту "памяти".

В то время как официальное представление новой технологии произошло лишь два дня назад, по заявлению Toshiba, один из производителей портативных компьютеров уже приступил к использованию этой технологии.

Infineon Technologies представила свою новую разработку, память Mobile-RAM. Это вариант памяти основан на технологии SDRAM, при этом обладая низким энергопотреблением, небольшим форм-фактором и достаточно низкой стоимостью в пересчете на единицу информации. Он может работать как с 16-разрадной, так и 32-разрядной шиной данных, что означает возможность его использования в уже имеющихся моделях Palm, а так же в тех, которые появятся в будущем. Чип 128 Мб имеет размеры всего 8 мм x 9 мм, что составляет примерно одну треть от стандартного 128 Мб модуля SDRAM.

Потребление энергии может снижаться до 80%, в зависимости от условий работы и дизайна системы. Это достигнуто благодаря понижению напряжения при операциях ввода/вывода, а также интеграции в чип функций энергосбережения. Если стандартная память SDRAM имеет рабочее напряжение 3,3 вольта, то Mobile-RAM потребляет всего 2,5 вольта для работы самой памяти и 1,6 вольта (или 2,5 вольта) для секции ввода/вывода. Функции энергосбережения включают в себя температурную компенсацию частоты регенерации памяти, а также возможность выборки из ограниченного массива памяти для предотвращения регенерации всего массива памяти.

Первые микросхемы Mobile-RAM появятся во втором полугодии этого года. Промышленное производство планируется начать уже в этом году.

Micron также анонсировал новую версию памяти SDRAM для мобильных устройств. Его память под названием BAT-RAM имеет конфигурацию 64 Мб или 2х32 Мб и потребляет от 2,5 до 3,3 вольт. Для сохранения энергии BAR-RAM может корректировать частоту регенирации и энергопотребление в зависимости от температурных условий. К сожалению, в отличие от Mobile-RAM, она не может регенировать только участок памяти.

palminfocenter.com



Эта статья с сайта PalmQ Online
http://www.palmq.ru

URL этой статьи:
http://www.palmq.ru/article.php?sid=87

Партнеры проекта: